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            NV RAM

            NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory),即非易失性隨機訪問存儲器 ,是指斷電后仍能保持數據的一種RAM。NVRAM的數據訪問速度介于易失性存儲器和常規硬盤之間。和易失性存儲器相比,非易失性存儲器一經寫入數據,就不需要外界電力來維持其記憶。NVRAM主要有兩種,分別是多層式存儲(MLC, Multi Level Cell)及單層式存儲(SLC, Single Level Cell)。兩者讀取速度差異不大,使用MLC顆粒的固態硬盤成本較使用SLC的低,但是寫入速度較低、使用壽命也較短。閃存是最常見的非易失性存儲器。小容量的閃存可被制作成帶有USB接口的移動存儲設備,亦即人們常說的“閃存盤”、“優盤”。隨著生產成本的下降,將多個大容量閃存模塊集成在一起,制成以閃存為存儲介質的固態硬盤已成為可能。
            隨著移動設備、便攜式設備和無線設備的迅猛發展,NVRAM也遇到了前所未有的好時機,并迅速走俏市場。日前,在多種NVRAM中,以閃存(Flash Memory)技術最為引人注目,并占據著NVRAM市場的霸主地位。盡管現在不同于閃存技術的其他NVRAM技術已經出現,并逐漸被一些廠商重視并看好,但在近幾年內,閃存仍將以其強大的優勢稱霸NVRAM應用市場。移動市場和無線市場的強大需求為NVRAM帶來了市場機會,同時也對NVRAM提出了更高的要求,更快的速度、更大的容量、更高的整合度以及更低的能耗
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