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Flash

FLASH在電子以及半導體領(lǐng)域內往往表示Flash Memory的意思,即平時(shí)所說(shuō)的"閃存"。它結合了ROM和RAM的長(cháng)處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還可以快速讀取數據(NVRAM的優(yōu)勢),使數據不會(huì )因為斷電而丟失。Flash 芯片是應用非常廣泛的存儲材料,與之容易混淆的是RAM芯片,我們經(jīng)常在有關(guān)IT的文章里面談到這兩種芯片。由于它們的工作條件與方式不一樣,決定它們性能和用途也有差異。所謂Flash芯片就是最新型的,可進(jìn)行可快速存儲、擦除數據的ROM。
閃存(Flash Memory)是一種長(cháng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個(gè)的字節為單位而是以固定的區塊為單位(注意:NOR Flash 為字節存儲。),區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,閃存與EEPROM不同的是,EEPROM能在字節水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě),而閃存的大部分芯片需要塊擦除。由于其斷電時(shí)仍能保存數據,閃存通常被用來(lái)保存設置信息,如在電腦的BIOS(基本程序)、PDA(個(gè)人數字助理)、數碼相機中保存資料等。閃存存取比較快速,無(wú)噪音,散熱小。小數據塊操作速度很慢,而大數據塊速度就很快,這種差異遠比其他存儲介質(zhì)大的多。


SPI NOR FLASH

常規容量
容量 16Mbit 32Mbit 64Mbit
品牌 武漢新芯 芯天下 兆易創(chuàng )新 武漢新芯 芯天下 兆易創(chuàng )新 武漢新芯 芯天下 兆易創(chuàng )新
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 NAND FLASH

常規容量
容量 1Gbit 2Gbit 4Gbit
品牌 JSC濟州半導體 芯天下 ISSI JSC濟州半導體 芯天下 ISSI JSC濟州半導體 芯天下 ISSI
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